Towards Functionality-Enhanced Devices: Controlling the Modes of Operation in Three-Independent-Gate Transistors
Gaillardon, Pierre-Emmanuel; Zhang, Jian; De Marchi, Michele; De Micheli, Giovanni
2015

Fichiers

Résumé

In this paper, we introduce the different modes of operation achievable with Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors (TIGFETs) and report results on fabricated devices including: (i) the dynamic reconfiguration of the device polarity; (ii) the dynamic control of the threshold voltage; and (iii) the dynamic control of the subthreshold slope.

Détails

Titre Towards Functionality-Enhanced Devices: Controlling the Modes of Operation in Three-Independent-Gate Transistors
Auteur(s) Gaillardon, Pierre-Emmanuel ; Zhang, Jian ; De Marchi, Michele ; De Micheli, Giovanni
Publié dans Proceedings of the 10th IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC)
Présenté à 10th IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), Anchorage, Alaska, USA, September 13-16, 2015
Date 2015
Note Invited paper
DOI https://doi.org/10.1109/NMDC.2015.7439231
Laboratoires LSI1
Le document apparaît dans Production scientifique et compétences > I&C - Faculté Informatique & Communications > IINFCOM > LSI1 - Laboratoire des systèmes intégrés 1 (STI/IC)
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
Date de création de la notice 2015-09-08

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