DC and low-frequency noise characteristics of SiGe p-channel FETs designed for 0.13-μm technology
1999
Détails
Titre
DC and low-frequency noise characteristics of SiGe p-channel FETs designed for 0.13-μm technology
Auteur(s)
Okhonin, S. ; Py, M.A. ; Georgescu, B. ; Fischer, H. ; Risch, L.
Publié dans
IEEE Transactions on Electron Devices
Volume
46
Numéro
7
Pages
1514-1517
Date
1999
Editeur
Institute of Electrical and Electronics Engineers
ISSN
0018-9383
Mots-clés (libres)
Laboratoires
LOEQ
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LOEQ - Laboratoire d'optoélectronique quantique
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Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2015-08-27