Multiple-Independent-Gate Nanowire Transistors: From Technology to Advanced SoC Design
2015
Résumé
The focus of this chapter is a novel class of devices such as Multiple-Independent-Gate Field-Effect Transistor (MIGFET) which can provide better functionality and flexibility as compared to classic Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs). Specific emphasis is given to Three-Independent-Gate Field-Effect Transistor (TIGFET).
Détails
Titre
Multiple-Independent-Gate Nanowire Transistors: From Technology to Advanced SoC Design
Auteur(s)
Gaillardon, Pierre-Emmanuel ; Zhang, Jian ; Amarù, Luca ; De Micheli, Giovanni
Publié dans
Nano-CMOS and Post-CMOS Electronics: Devices and Modeling
Editeur(s)
Pages
237-264
Date
2015
Editeur
The Institution of Engineering and Technology (IET)
ISBN
978-1-84919-997-1
Lien supplémentaire
URL
Laboratoires
LSI1
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > I&C - Faculté Informatique & Communications > IINFCOM > LSI1 - Laboratoire des systèmes intégrés 1 (STI/IC)
Travail produit à l'EPFL
Chapitres de livre
Publié
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Date de création de la notice
2015-03-18