Fichiers
Détails
Titre
High-Density Excitonic Effects in GaN: Mott-Transition and Polariton Lasing
Auteur(s)
Rossbach, Georg
Directeur(s)
Date
2014
Editeur
Lausanne, EPFL
Mots-clés (libres)
Gallium nitride; III-nitrides; quantumwells; excitons; biexcitons; electron-hole plasma; Mott-transition; microcavities; exciton-polaritons; polariton condensate; strong coupling regime; polariton lasing; Bose-Einstein condensate; polariton relaxation; polariton renormalization; exciton saturation; exciton oscillator strength; optical anisotropy; non-polar microcavities; anisotropic light-matter coupling
Langue
Anglais
Autres identifiant(s)
urn: urn:nbn:ch:bel-epfl-thesis6245-4
Laboratoires
LASPE
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > LASPE - Laboratoire en semiconducteurs avancés pour la photonique et l'électronique
Production scientifique et compétences > Thèses EPFL
Travail produit à l'EPFL
Publié
Thèses
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Date de création de la notice
2014-08-25