A study on 1T Capacitor-less Tunnel FET DRAM Exploiting Ungated Body
2013
Détails
Titre
A study on 1T Capacitor-less Tunnel FET DRAM Exploiting Ungated Body
Auteur(s)
Biswas, Arnab ; Dagtekin, Nilay ; Grabinski, Wladek ; Bazigos, Antonios ; Le Royer, Cyrille ; Faynot, Olivier ; Ionescu, Adrian M.
Publié dans
http://www.isdrs2013.org/wp-content/uploads/2013/05/047_WP803.pdf
Présenté à
ISDRS 2013, Washington DC, USA, December 11-13, 2013
Date
2013
Editeur
IEEE
Lien supplémentaire
URL
Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Accepté
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Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Accepté
Date de création de la notice
2013-12-16