Modeling and Design Space of Junctionless Symmetric DG MOSFETs With Long Channel
2013
Résumé
We investigate the technological con-strains and design limitations of ultrathin body junctionless dou- ble gate MOSFET (JL DG MOSFET). Relationships between the silicon thickness and the doping concentration compatible with design requirements in terms of OFF-state-current and voltages are obtained and validated with TCAD simulations. This set of analytical expressions can be used as a guideline for technology optimization of JL DG MOSFETS.
Détails
Titre
Modeling and Design Space of Junctionless Symmetric DG MOSFETs With Long Channel
Auteur(s)
Jazaeri, Farzan ; Barbut, Lucian ; Sallese, Jean-Michel
Publié dans
IEEE Transactions on Electron Devices
Pagination
8
Volume
60
Numéro
7
Pages
2120-2127
Date
2013
Editeur
Piscataway, Ieee-Inst Electrical Electronics Engineers Inc
ISSN
1557-9646
Mots-clés (libres)
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
EDLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > EDLAB - Group of Electron Device Modeling and Technology
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Date de création de la notice
2013-08-07