Bended gate-all-around nanowire MOSFET: a device with enhanced carrier mobility due to oxidation-induced tensile stress
Moselund, K. E.; Dobrosz, P.; Olsen, S.; Pott, V.; De Michielis, L.; Tsamados, D.; Bouvet, D.; O'Neill, A.; Ionescu, A. M.
2007

Résumé

In this paper we investigate the mobility enhancement due to strain in bended NW MOSFETs. Stress of 200MPa to 2GPa, induced by thermal oxidation, is measured in suspended NW FETs by Raman spectroscopy. Mobility enhancement of more than 100% is observed. Performance gain of bended compared to non-bended structures is most pronounced in low field conditions and at low temperatures.

Détails

Titre Bended gate-all-around nanowire MOSFET: a device with enhanced carrier mobility due to oxidation-induced tensile stress
Auteur(s) Moselund, K. E. ; Dobrosz, P. ; Olsen, S. ; Pott, V. ; De Michielis, L. ; Tsamados, D. ; Bouvet, D. ; O'Neill, A. ; Ionescu, A. M.
Publié dans 2007 Ieee International Electron Devices Meeting
Pages 191-194
Présenté à IEEE International Electron Devices Meeting, Washington, DC, Dec 10-12, 2007
Date 2007
Editeur Ieee Service Center, 445 Hoes Lane, Po Box 1331, Piscataway, Nj 08855-1331 Usa
ISBN 978-1-4244-1507-6
Mots-clés (libres)
DOI https://doi.org/10.1109/IEDM.2007.4418899
Autres identifiant(s) Afficher la publication dans Web of Science
Laboratoires NANOLAB
Le document apparaît dans Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
Date de création de la notice 2012-07-04

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