Length scaling of the Double Gate Tunnel FET with a high-K gate dielectric
2007
Détails
Titre
Length scaling of the Double Gate Tunnel FET with a high-K gate dielectric
Auteur(s)
Boucart, K. ; Ionescu, A.
Publié dans
Solid-State Electronics
Volume
51
Numéro
11-12
Pages
1500-1507
Date
2007
Editeur
Elsevier
ISSN
0038-1101
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
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Date de création de la notice
2010-11-08