A New Charge based Compact Model for Lateral Asymmetric MOSFET and its application to High Voltage MOSFET Modeling
2007
Détails
Titre
A New Charge based Compact Model for Lateral Asymmetric MOSFET and its application to High Voltage MOSFET Modeling
Auteur(s)
Chauhan, Yogesh ; Krummenacher, Francois ; Gillon, Renuad ; Bakeroot, Benoit ; Declercq, Michel ; Ionescu, Adrian
Publié dans
20th International Conference on VLSI Design held jointly with 6th International Conference on Embedded Systems (VLSID'07)
Pages
177-182
Présenté à
20th International Conference on VLSI Design held jointly with 6th International Conference on Embedded Systems (VLSID'07), Bangalore, India, 6-10 01 2007
Date
2007
Editeur
IEEE
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > STI Archives > LEG1 - Laboratoire d'électronique générale 1
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > STI Archives > LEG1 - Laboratoire d'électronique générale 1
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
Date de création de la notice
2010-11-08