Détails
Titre
Molecular beam epitaxy of group-III nitrides
Auteur(s)
Grandjean, Nicolas ; Massies, J.
Publié dans
III-Nitride Semiconductors: Growth
Série
Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, 19
Pages
277-322
Date
2002
Editeur
Taylor and Francis
Laboratoires
LASPE
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > LASPE - Laboratoire en semiconducteurs avancés pour la photonique et l'électronique
Travail hors EPFL
Chapitres de livre
Publié
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Date de création de la notice
2010-10-14