3 W of 650 nm red emission by frequency doubling of wafer-fused semiconductor disk laser
2010
Résumé
3 W at genuine red wavelength of 650 nm has been achieved from a semiconductor disk laser by frequency doubling. An InP based active medium was fused with a GaAs/AlGaAs distributed Bragg reflector resulting in an integrated monolithic gain mirror. 6.6 W of output power at the fundamental wavelength of 1.3 mu m represents the best achievement reported to date for this type of lasers. (C) 2010 Optical Society of America
Détails
Titre
3 W of 650 nm red emission by frequency doubling of wafer-fused semiconductor disk laser
Auteur(s)
Rantamäki, Antti ; Sirbu, Alexei ; Mereuta, Alexandru ; Kapon, Elyahou ; Okhotnikov, Oleg G.
Publié dans
Optics Express
Volume
18
Numéro
21
Pages
645-650
Date
2010
Editeur
Optical Society of America
ISSN
1094-4087
Mots-clés (libres)
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
LPN
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Date de création de la notice
2010-10-06