AlGaN/GaN HEMT on (111) single crystalline diamond
2010
Résumé
AlGaN/GaN HEMTs have been fabricated directly on (111) oriented single crystal diamond with 1.3 x 10(13) cm(-2) channel sheet charge density and 731 cm(2)/Vs mobility. 0.2 mu m gate length devices showed 0.73 A/mm maximum drain current density and f(T) and f(max) cutoff frequencies of 21 and 42 GHz.
Détails
Titre
AlGaN/GaN HEMT on (111) single crystalline diamond
Auteur(s)
Alomari, M. ; Dussaigne, A. ; Martin, D. ; Grandjean, N. ; Gaquiere, C. ; Kohn, E.
Publié dans
Electronics Letters
Volume
46
Numéro
4
Pages
299-300
Date
2010
ISSN
0013-5194
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
LASPE
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > LASPE - Laboratoire en semiconducteurs avancés pour la photonique et l'électronique
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Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2010-10-05