Two-dimensional "pseudo-donor-acceptor-pairs" model of recombination dynamics in InGaN/GaN quantum wells
Morel, A.; Lefebvre, P.; Taliercio, T.; Bretagnon, T.; Gil, B.; Grandjean, N.; Damilano, B.; Massies, J.
2003

Résumé

Recombination dynamics in InGaN/GaN quantum wells has been studied by time resolved photoluminescence (PL). The radiative recombination processes in these systems can be qualitatively explained on a nanometer-scale by a model based on the recombination dynamics of two dimensional "pseudo-donor-acceptor pairs". (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Détails

Titre Two-dimensional "pseudo-donor-acceptor-pairs" model of recombination dynamics in InGaN/GaN quantum wells
Auteur(s) Morel, A. ; Lefebvre, P. ; Taliercio, T. ; Bretagnon, T. ; Gil, B. ; Grandjean, N. ; Damilano, B. ; Massies, J.
Publié dans Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures
Volume 17
Numéro 1-4
Pages 64-67
Date 2003
ISSN 1386-9477
Mots-clés (libres)
DOI https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00762-2
Laboratoires LASPE
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Date de création de la notice 2010-10-05

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