Accurate MOS Transistor Modeling and Parameter Extraction Valid up to 10-GHz
1999
Détails
Titre
Accurate MOS Transistor Modeling and Parameter Extraction Valid up to 10-GHz
Auteur(s)
Jen, S. H. ; Enz, C. ; Pehlke, D. R. ; Schroter, M. ; Sheu, B. J.
Publié dans
IEEE Transactions on Electron Devices
Volume
46
Numéro
11
Pages
2217-2227
Date
1999
Mots-clés (libres)
Laboratoires
LSI2
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > LSI2 - Laboratoire des systèmes intégrés (STI/IC)
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Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
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Date de création de la notice
2010-06-24