An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications
1995
Détails
Titre
An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications
Auteur(s)
Enz, C. C. ; Krummenacher, F. ; Vittoz, E. A.
Publié dans
Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal
Volume
8
Pages
83-114
Date
1995
Note
special issue of the Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design
Laboratoires
LSI2
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > LSI2 - Laboratoire des systèmes intégrés (STI/IC)
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
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Date de création de la notice
2010-06-24