Détails
Titre
An MOS Transistor Model for RF IC Design Valid in All Regions of Operation
Auteur(s)
Enz, C.
Publié dans
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
Volume
50
Numéro
1
Pages
342-359
Date
2002
Mots-clés (libres)
Note
(invited)
Laboratoires
LSI2
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > LSI2 - Laboratoire des systèmes intégrés (STI/IC)
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
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Date de création de la notice
2010-06-24