Structural and electronic properties of oxygen vacancies in monoclinic HfO2
2007
Détails
Titre
Structural and electronic properties of oxygen vacancies in monoclinic HfO2
Auteur(s)
Broqvist, P. ; Pasquarello, A.
Publié dans
Materials Research Society Symposium Proceedings
Numéro
966E
Pages
0996-H01-08
Présenté à
Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies, San Francisco, California, April 9-13, 2007
Date
2007
Laboratoires
CSEA
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > CSEA - Chaire de simulation à l'échelle atomique
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Date de création de la notice
2009-10-14