Atomic processes during silicon oxidation: Oxygen diffusion through the oxide layer
2003
Détails
Titre
Atomic processes during silicon oxidation: Oxygen diffusion through the oxide layer
Auteur(s)
Bongiorno, A. ; Pasquarello, A.
Publié dans
26th International Conference on the Physics of Semiconductors
Numéro
171
Pages
N3.2
Présenté à
Physics of Semiconductors 2002, Edinburgh, UK, 29 July-2 August, 2002
Date
2003
Laboratoires
CSEA
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > CSEA - Chaire de simulation à l'échelle atomique
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Date de création de la notice
2009-10-14