Alignment of defect energy levels at the Si-SIO2 interface from hybrid density functional calculations
2010
Détails
Titre
Alignment of defect energy levels at the Si-SIO2 interface from hybrid density functional calculations
Auteur(s)
Alkauskas, A. ; Broqvist, P. ; Pasquarello, A.
Publié dans
AIP Conference Proceedings
Volume
1199
Pages
79
Présenté à
29th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS), 27 July–1 August 2009
Date
2010
Mots-clés (libres)
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Laboratoires
CSEA
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > CSEA - Chaire de simulation à l'échelle atomique
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Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2009-10-14