Complex Pattern of Impurity States in Shallow Semiconductor Quantum-Wells
1991
Résumé
Electronic states bound to impurities located in the quantum well barriers are calculated when the bulk binding energy is comparable to the quantum well depth. We show the existence of a complex level pattern due to the interaction between barrierlike states and states which are essentially confined in the well. The effects of an electric field are also discussed.
Détails
Titre
Complex Pattern of Impurity States in Shallow Semiconductor Quantum-Wells
Auteur(s)
Pasquarello, A. ; Bastard, G.
Publié dans
Europhysics Letters
Volume
15
Numéro
4
Pages
447-451
Date
1991
ISSN
0295-5075
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
CSEA
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > CSEA - Chaire de simulation à l'échelle atomique
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Date de création de la notice
2009-10-08