Analysis of the Structure and Drift of Al2O3 Layers used as pH-Sensitive Material for pH-ISFETs
1987
Détails
Titre
Analysis of the Structure and Drift of Al2O3 Layers used as pH-Sensitive Material for pH-ISFETs
Auteur(s)
Arnoux, C. ; Buser, R. ; van den Vlekkert, H. H. ; de Rooij, N. F. ; Decroux, M.
Publié dans
Transducers'87 the 4th International Conference Solid-State Sensors and Actuators
Pages
751-754
Date
1987
Laboratoires
SAMLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > STI Archives > SAMLAB - Laboratoire de capteurs, actuateurs et microsystèmes
Travail hors EPFL
Papiers de conférence
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Date de création de la notice
2009-05-12