Transient Current Behavior of Vertically Integrated Amorphous Silicon Diodes
2007
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Détails
Titre
Transient Current Behavior of Vertically Integrated Amorphous Silicon Diodes
Auteur(s)
Choong, G. ; Wyrsch, N. ; Ballif, C. ; Kaufmann, R. ; Lustenberger, F.
Publié dans
Materials Research Society Symposium Proceedings
Volume
989
Pages
A12-3
Date
2007
Note
IMT-NE Number: 475
Laboratoires
PV-LAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > PV-LAB - Laboratoire de photovoltaïque et couches minces électroniques
Production scientifique et compétences > Partenaires EPFL > Campus Neuchâtel > PV-Lab - Laboratoire de photovoltaïque et couches minces électroniques
Publications validées par des pairs
Travail hors EPFL
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Date de création de la notice
2009-02-10