Preliminary radiation tests of 32 µm thick hydrogenated amorphous silicon films
2005
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Résumé
Preliminary radiation tests of hydrogenated amorphous silicon n-i-p photodiodes deposited on a coated glass substrate are presented in this paper. These tests have been performed using a 24 GeV proton beam. We report results on the fluence dependence of the diode dark current and of the signal induced by a proton spill. © 2005 Published by Elsevier B.V.
Détails
Titre
Preliminary radiation tests of 32 µm thick hydrogenated amorphous silicon films
Auteur(s)
Despeisse, M. ; Jarron, P. ; Johansen, K. M. ; Moraes, D. ; Shah, A. ; Wyrsch, N.
Publié dans
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
Volume
552
Pages
88-92
Date
2005
Note
IMT-NE Number: 416
Laboratoires
PV-LAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > PV-LAB - Laboratoire de photovoltaïque et couches minces électroniques
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Publications validées par des pairs
Travail hors EPFL
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Date de création de la notice
2009-02-10