Transport Properties of Compensated µc-Si:H
1996
Fichiers
Détails
Titre
Transport Properties of Compensated µc-Si:H
Auteur(s)
Wyrsch, N. ; Goerlitzer, M. ; Beck, N. ; Meier, J. ; Shah, A.
Publié dans
MRS Proceedings
Volume
420
Pages
801-806
Date
1996
Note
IMT-NE Number: 220
Laboratoires
PV-LAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > PV-LAB - Laboratoire de photovoltaïque et couches minces électroniques
Production scientifique et compétences > Partenaires EPFL > Campus Neuchâtel > PV-Lab - Laboratoire de photovoltaïque et couches minces électroniques
Publications validées par des pairs
Travail hors EPFL
Papiers de conférence
Publié
Production scientifique et compétences > Partenaires EPFL > Campus Neuchâtel > PV-Lab - Laboratoire de photovoltaïque et couches minces électroniques
Publications validées par des pairs
Travail hors EPFL
Papiers de conférence
Publié
Date de création de la notice
2009-02-10