Electric Field Optimisation by Graded Low-Level Doping in Amorphous Silicon P-I-N Diodes


Publié dans:
Extended Abstracts of the Int. Conf. on Solid State Devices and Materials,, 500-502
Année
1994
Note:
IMT-NE Number: 185
Laboratoires:




 Notice créée le 2009-02-10, modifiée le 2018-09-13


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