Laser-Initiated Metal-Deposition on Gaas Substrates
1981
Résumé
The local deposition of metal structures by thermal dissociation of trimethylaluminium, dimethylzinc and dimethylcadmium on GaAs surfaces heated by a CW krypton laser has been investigated. Piles of amorphous aluminium and zinc and crystalline structures of Cd have been deposited at temperatures between 200 and 1200°C. The smallest size of the deposits was ≈4 μm
Détails
Titre
Laser-Initiated Metal-Deposition on Gaas Substrates
Auteur(s)
Rytz-Froidevaux, Y. ; Salathe, R. P. ; Gilgen, H. H.
Publié dans
Physics Letters A
Volume
84
Numéro
4
Pages
216-218
Date
1981
Mots-clés (libres)
Note
Inst. of Appl. Phys., Univ. of Berne, Berne, Switzerland Copyright 1981, IEE 1757166 0375-9601 GaAs substrates thermal dissociation trimethylaluminium dimethylzinc dimethylcadmium amorphous crystalline structures Cd laser initiated metal deposition Al Zn CVD
Laboratoires
LOA
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > STI Archives > LOA - Laboratoire d'optique appliquée Prof. Salathé
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Travail hors EPFL
Articles de journaux
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Date de création de la notice
2009-01-20