Luminescence of laser irradiated (Al,Ga)As-multilayer structures
1981
Résumé
A new luminescence band is observed in optically pumped Ge-doped (Al,Ga)As multilayer structures, that were previously subjected to laser irradiation. The band is shifted by 90 meV to longer wavelength with respect to the luminescence peak of the unexposed regions. The laser power density necessary for processing is about 0.53 MW/cm2. The processed region has a width of 1 μm and a depth of 0.2 μm
Détails
Titre
Luminescence of laser irradiated (Al,Ga)As-multilayer structures
Auteur(s)
Gilgen, H. H. ; Salathe, R. P. ; Rytz-Froidevaux, Y.
Publié dans
Gallium Arsenide and Related Compounds, 1980. Eighth International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds
Présenté à
Bristol, UK
Date
1981
Editeur
IOP
Mots-clés (libres)
Note
Inst. of Appl. Phys., Univ. of Berne, Berne, Switzerland
1770678
(Al,Ga)As
multilayer structures
luminescence band
laser irradiation
laser power density
(Al,Ga)As:Ge
III-V semiconductor
1770678
(Al,Ga)As
multilayer structures
luminescence band
laser irradiation
laser power density
(Al,Ga)As:Ge
III-V semiconductor
Laboratoires
LOA
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > STI Archives > LOA - Laboratoire d'optique appliquée Prof. Salathé
Travail hors EPFL
Papiers de conférence
Publié
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Date de création de la notice
2009-01-20