Negative dynamic mobility of electrons in silicon in the far-infrared range
Brazis, R.; Asadauskas, L.; Raguotis, R.; Siegrist, M. R.
1997

Résumé

We performed Monte Carlo simulation of electron response to a strong pumping wave (443 GHz) and weak signal harmonic waves (886 and 1329 GHz) in silicon. A negative dynamic conductivity is found to arise for 1329 GHz above a threshold value of the pumping wave amplitude and below a maximum value of the signal wave amplitude in a limited range of phase difference between the waves.

Détails

Titre Negative dynamic mobility of electrons in silicon in the far-infrared range
Auteur(s) Brazis, R. ; Asadauskas, L. ; Raguotis, R. ; Siegrist, M. R.
Publié dans International Journal of Infrared and Millimeter Waves
Volume 18
Numéro 6
Pages 1217-1222
Date 1997
ISSN 0195-9271
DOI https://doi.org/10.1007/BF02678228
Laboratoires CRPP
SPC
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Travail produit à l'EPFL
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Publié
Date de création de la notice 2008-04-16

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