Quantitative Imaging of InGaAs/GaAs Layers Using Transmission Electron Microscopy Methods: Characterization of Stresses and Chemical Composition
2002
Détails
Titre
Quantitative Imaging of InGaAs/GaAs Layers Using Transmission Electron Microscopy Methods: Characterization of Stresses and Chemical Composition
Auteur(s)
Leifer, K. ; Buffat, P.A. ; Cagnon, J. ; Kapon, E. ; Rudra, A. ; Stadelmann, P.A.
Publié dans
Journal of Crystal Growth
Volume
237-239
Pages
1471-1475
Date
2002
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > CIME - Centre interdisciplinaire de microscopie électronique
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Date de création de la notice
2008-02-29