Defects Structure and Chemistry of InP-GaAs Interfaces Obtained by Wafer Bonding
2000
Détails
Titre
Defects Structure and Chemistry of InP-GaAs Interfaces Obtained by Wafer Bonding
Auteur(s)
Sagalowicz, L. ; Rudra, A. ; Kapon, E. ; Hammar, M. ; Salomonsson, F. ; Black, A. ; Jouneau, P.-H. ; Wipijewski, T.
Publié dans
Journal of Applied Physics
Volume
87
Pages
4135-4146
Date
2000
Autres identifiant(s)
DAR: 2619
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Laboratoires
LPN
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Date de création de la notice
2008-02-29