High Tunning Range AISi RF MEMS Capacitors Fabricated with Sacrificial Amorphous Silicon Surface Micromachining
2003
Détails
Titre
High Tunning Range AISi RF MEMS Capacitors Fabricated with Sacrificial Amorphous Silicon Surface Micromachining
Auteur(s)
Fritschi, R. ; Frédérico, S. ; Hibert, C. ; Flückiger, Ph. ; Renaud, Ph. ; Tsamados, D. ; Boussey, J. ; Chovet, A. ; Udrea, F. ; Curty, J.-P. ; Dehollain, C. ; Declercq, M. ; Ionescu, A. M.
Publié dans
Microelectronic Engineering
Volume
73–74
Pages
447-451
Présenté à
Micro and Nano Engineering 2003 (MNE 2003), Cambridge, UK, 22-25 September 2003
Date
2003
Autres identifiant(s)
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DAR: 5303
DAR: 5303
Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Travail produit à l'EPFL
Publié
Date de création de la notice
2007-10-10