Bias-dependent drift resistance modeling for accurate DC and AC simulation of asymmetric HV-MOSFET
2002
Détails
Titre
Bias-dependent drift resistance modeling for accurate DC and AC simulation of asymmetric HV-MOSFET
Auteur(s)
Hefyene, N. ; Vestiel, E. ; Bakeroot, B. ; Anghel, C. ; Frere, S. ; Ionescu, A. M. ; Gillon, R.
Publié dans
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
Pages
203-206
Présenté à
SISPAD 2002
Date
2002
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2007-10-10