Noise Modeling Methodologies in the Presence of Mobility Degradation and their Equivalence
2006
Détails
Titre
Noise Modeling Methodologies in the Presence of Mobility Degradation and their Equivalence
Auteur(s)
Roy, A. S. ; Enz, C. ; Sallese, J.-M.
Publié dans
IEEE Transactions on Electron Devices
Volume
53
Numéro
2
Pages
348-355
Date
2006
Editeur
Institute of Electrical and Electronics Engineers
ISSN
0018-9383
Mots-clés (libres)
MOSFET; carrier mobility; equivalent circuits; semiconductor device models; semiconductor device noise; Klaassen-Prins approach; MOSFET compact modeling; classical Langevin approach; device noise; drain noise current; electric field; gate noise current; impedance field method; long channel MOST; mobility degradation; noise modeling; noise parameters; thermal noise; Induced gate noise
Autres identifiant(s)
DAR: 8068
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > EDLAB - Group of Electron Device Modeling and Technology
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > LSI2 - Laboratoire des systèmes intégrés (STI/IC)
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > STI Archives > LEG1 - Laboratoire d'électronique générale 1
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
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Date de création de la notice
2007-10-08