Derivation of Shockley-Read-Hall recombination rates in bulk and PD-SOI MOSFET's channels valid in all modes of operation
2004
Détails
Titre
Derivation of Shockley-Read-Hall recombination rates in bulk and PD-SOI MOSFET's channels valid in all modes of operation
Auteur(s)
Sallese, Jean-Michel ; Krummenacher, François ; Fazan, Pierre
Publié dans
Solid-State Electronics
Volume
48
Numéro
9
Pages
1539-1548
Date
2004
Autres identifiant(s)
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DAR: 5348
DOI: https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.02.017
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Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > EDLAB - Group of Electron Device Modeling and Technology
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > STI Archives > LEG1 - Laboratoire d'électronique générale 1
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
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Date de création de la notice
2007-10-08