Long-wavelength edge-emitting lasers on gallium arsenide using InAs quantum dots embedded in InGaAs
2000
Résumé
We demonstrate edge-emitting lasers based on self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrates. The InAs QDs are embedded in an InGaAs quantum well (QW) to red-shift the lasing transition. The lasers emit at lambda=1.2 mum with threshold current densities approximate to100 A/cm(2). Maximum modal gains on the order of 5 cm(-1) are deduced for a single QD sheet.
Détails
Titre
Long-wavelength edge-emitting lasers on gallium arsenide using InAs quantum dots embedded in InGaAs
Auteur(s)
Fiore, A. ; Oesterle, U. ; Houdré, R. ; Vez, D. ; Stanley, R. P. ; Ilegems, M.
Publié dans
Compound Semiconductors 1999
Série
Institute of Physics Conference Series, 166
Pages
273-276
Présenté à
26th International Symposium on Compound Semiconducors, Berlin, Germany, August 22-26, 1999
Date
2000
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DAR: 575
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > SCI-SB-RH - Group SCI SB RH
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Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2007-08-31