Time resolved characterization of InAs/InGaAs quantum dot gain material for 1.3 µm lasers on gallium arsenide
2000
Détails
Titre
Time resolved characterization of InAs/InGaAs quantum dot gain material for 1.3 µm lasers on gallium arsenide
Auteur(s)
Fiore, A. ; Borri, P. ; Langbein, W. ; Hvam, J.M. ; Oesterle, U. ; Houdré, R. ; Ilegems, M.
Publié dans
Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2000)
Date
2000
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LOEQ - Laboratoire d'optoélectronique quantique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > SCI-SB-RH - Group SCI SB RH
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Date de création de la notice
2007-08-31