Direct observation in the temporal domain of relaxation oscillations in a semiconductor laser
Hessler, T.; Haacke, S.; Pleumeekers, J. L.; Selbmann, P. E.; Dupertuis, M. A.; Deveaud, B.; Doussiere, P.; Bachmann, M.; Emery, J. Y.; Ducellier, T.; Taylor, R. A.
1997

Résumé

Pump and Probe measurements with femtosecond pulses are performed on a Gain-Clamped Semiconductor Optical Amplifier (a special laser structure). The relaxation oscillations of the carriers density are observed directly in the time domain, Reasonable values of the differential gain and the nonlinear gain factors are extracted from the current dependence of the oscillations.

Détails

Titre Direct observation in the temporal domain of relaxation oscillations in a semiconductor laser
Auteur(s) Hessler, T. ; Haacke, S. ; Pleumeekers, J. L. ; Selbmann, P. E. ; Dupertuis, M. A. ; Deveaud, B. ; Doussiere, P. ; Bachmann, M. ; Emery, J. Y. ; Ducellier, T. ; Taylor, R. A.
Publié dans Physica Status Solidi B-Basic Research
Volume 204
Numéro 1
Pages 574-576
Date 1997
ISSN 0370-1972
Mots-clés (libres)
Note Alcatel alsthom rech, f-91460 marcoussis, france. univ oxford, clarendon lab, dept phys, oxford ox1 3pu, england. Hessler, T, SWISS FED INST TECHNOL, IMO, DEPT PHYS, CH-1015 LAUSANNE, SWITZERLAND.
ISI Document Delivery No.: YJ654
Cited Reference Count: 6
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DOI https://doi.org/10.1002/1521-3951(199711)204:1<574::AID-PSSB574>3.0.CO;2-F
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Date de création de la notice 2007-08-31