Résumé
Disclosed is a semiconductor laser that is constituted by at least one active layer sandwiched between two confinement layers with P and N type doping to constitute a PN junction. In at least one of the confinement layers and/or the active layer, holes are designed on each side of the cavity so as to form structures of photonic bandgap material along the lateral walls of the cavity and the ends of the cavity.
Détails
Titre
Semiconductor laser having a photonic bandgap material
Auteur(s)
Houdré, R. ; Berger, V. ; Weisbuch, C.
Date
1997
Note
Alternative title(s) :
(de) Halbleiterlasern
(fr) Laser à semiconducteurs
(en) Semi-conductor lasers
Autres identifiant(s)
EPO Family ID: 9478928
Numéro(s) de brevet
DE69608850 (T2)
DE69608850 (D1)
EP0742620 (B1)
US5684817 (A)
FR2734097 (B1)
FR2734097 (A1)
EP0742620 (A1)
DE69608850 (D1)
EP0742620 (B1)
US5684817 (A)
FR2734097 (B1)
FR2734097 (A1)
EP0742620 (A1)
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LOEQ - Laboratoire d'optoélectronique quantique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > SCI-SB-RH - Group SCI SB RH
Travail produit à l'EPFL
Brevets
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > SCI-SB-RH - Group SCI SB RH
Travail produit à l'EPFL
Brevets
Date de création de la notice
2007-08-31