Improvement of Crystal Quality of Epitaxial Silicon-Germanium Alloy Layers by Carbon Additions
Mi, J.; Letourneau, P.; Ganiere, J. D.; Gailhanou, M.; Dutoit, M.; Dubois, C.; Dupuy, J. C.; Bremond, G.
1994

Résumé

Improved Si1-xGex/Si hetero-epitaxy has been achieved by RTCVD in the presence of small amounts of C3H8 during growth. Carbon presumably scavenges oxygen and acts as a surfactant to inhibit three dimensional growth.

Détails

Titre Improvement of Crystal Quality of Epitaxial Silicon-Germanium Alloy Layers by Carbon Additions
Auteur(s) Mi, J. ; Letourneau, P. ; Ganiere, J. D. ; Gailhanou, M. ; Dutoit, M. ; Dubois, C. ; Dupuy, J. C. ; Bremond, G.
Publié dans Helvetica Physica Acta
Volume 67
Numéro 2
Pages 219-220
Date 1994
ISSN 0018-0238
Mots-clés (libres)
Note Insa,phys matiere lab,f-69621 villeurbanne,france. Mi, j, epfl,inst micro & optoelectr,ch-1015 lausanne,switzerland.
ISI Document Delivery No.: NN693
Cited Reference Count: 5
Cited References:
COPEL M, 1989, PHYS REV LETT, V63, P632
EBERL K, 1992, APPL PHYS LETT, V60, P3033
IM S, 1993, APPL PHYS LETT, V63, P929
STINESPRING CD, 1989, J APPL PHYS, V65, P173
STRANE JW, 1993, APPL PHYS LETT, V63, P2786
Autres identifiant(s) Afficher la publication dans Web of Science
Laboratoires LOEQ
Le document apparaît dans Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LOEQ - Laboratoire d'optoélectronique quantique
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
Date de création de la notice 2007-08-31

Actions