DC and RF characteristics of InAlAs/InGaAs dual-gate TEGFETs
1991
Détails
Titre
DC and RF characteristics of InAlAs/InGaAs dual-gate TEGFETs
Auteur(s)
Gueissaz, F. ; Houdré, R. ; Ilegems, M.
Publié dans
Electronics Letters
Volume
27
Numéro
8
Pages
631
Date
1991
ISSN
0013-5194
Autres identifiant(s)
Afficher la publication dans Web of Science
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LOEQ - Laboratoire d'optoélectronique quantique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > SCI-SB-RH - Group SCI SB RH
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > SCI-SB-RH - Group SCI SB RH
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
Date de création de la notice
2007-08-31