High electron density and mobility InGaAs / InAlAs modulation doped structures grown on InP
1990
Détails
Titre
High electron density and mobility InGaAs / InAlAs modulation doped structures grown on InP
Auteur(s)
Gueissaz, F. ; Houdré, R. ; Ilegems, M.
Publié dans
20th European Solid State Device Conference
Pages
109-112
Date
1990
Editeur
Adam Hilger
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LOEQ - Laboratoire d'optoélectronique quantique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > SCI-SB-RH - Group SCI SB RH
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Date de création de la notice
2007-08-31