Détails
Titre
Properties of molecular beam epitaxial grown GaAs on Si
Auteur(s)
Houdré, R. ; Morkoç, H.
Publié dans
Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences
Volume
16
Numéro
2
Pages
91-114
Date
1990
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Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LOEQ - Laboratoire d'optoélectronique quantique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > SCI-SB-RH - Group SCI SB RH
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
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Date de création de la notice
2007-08-31