Comment on "Interface charge polarity of a polar on non-polar semiconductor : GaAs/Si with Ga and As prelayers"
1986
Détails
Titre
Comment on "Interface charge polarity of a polar on non-polar semiconductor : GaAs/Si with Ga and As prelayers"
Auteur(s)
Won, T. ; Munns, G. ; Houdré, R. ; Morkoç, H.
Publié dans
Applied Physics Letters
Volume
51
Numéro
21
Pages
1756
Date
1986
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > SB Archives > LOEQ - Laboratoire d'optoélectronique quantique
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > IPHYS - Institut de physique > SCI-SB-RH - Group SCI SB RH
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2007-08-31