Gate-all-around MOSFETs: true fabrication and characteristics
2006
Détails
Titre
Gate-all-around MOSFETs: true fabrication and characteristics
Auteur(s)
Pott, V. ; Bouvet, D. ; Moselund, K. E. ; Ionescu, A. M.
Publié dans
SINANO workshop on silicon nanodevices, Beyond CMOS: Emerging devices
Date
2006
Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Travail produit à l'EPFL
Publié
Date de création de la notice
2007-05-16