Experimental study of the process dependence of Mo, Cr, Ti, and W silicon Schottky diodes and contact resistance
2006
Détails
Titre
Experimental study of the process dependence of Mo, Cr, Ti, and W silicon Schottky diodes and contact resistance
Auteur(s)
Moselund, K. E. ; Freiermuth, J. E. ; Dainesi, P. ; Ionescu, A. M.
Publié dans
IEEE Transactions on Electron Devices
Volume
53
Numéro
4
Pages
712-718
Date
2006
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
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Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2007-05-16