Compact Modeling of Lateral Nonuniform Doping in High-Voltage MOSFETs
2007
Détails
Titre
Compact Modeling of Lateral Nonuniform Doping in High-Voltage MOSFETs
Auteur(s)
Chauhan, Yogesh Singh ; Krummenacher, Franois ; Gillon, Renaud ; Bakeroot, Benoit ; Declercq, Michel J. ; Ionescu, Adrian Mihai
Publié dans
IEEE Transactions on Electron Devices
Volume
54
Numéro
6
Pages
1527-1539
Date
2007
Editeur
Institute of Electrical and Electronics Engineers
ISSN
0018-9383
Autres identifiant(s)
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DAR: 10796
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Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
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Date de création de la notice
2010-11-08