Scalable general high voltage MOSFET model including quasi-saturation and self-heating effects
2006
Détails
Titre
Scalable general high voltage MOSFET model including quasi-saturation and self-heating effects
Auteur(s)
Chauhan, Y. S. ; Anghel, C. ; Krummenacher, F. ; Maier, C. ; Gillon, R. ; Bakeroot, B. ; Desoete, B. ; Frere, S. ; Baguenier Desormeaux, A. ; Sharma, A.
Publié dans
Solid-State Electronics
Volume
50
Numéro
11-12
Pages
1801-1813
Date
2006
Autres identifiant(s)
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DAR: 9974
DAR: 9974
Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
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Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2007-05-16