New Method for Threshold Voltage Extraction of High Voltage MOSFETs based on Gate-to-Drain Capacitance Measurement
2006
Détails
Titre
New Method for Threshold Voltage Extraction of High Voltage MOSFETs based on Gate-to-Drain Capacitance Measurement
Auteur(s)
Anghel, C. ; Bakeroot, B. ; Chauhan, Y. S. ; Gillon, R. ; Maier, C. ; Moens, P. ; Doutreloigne, J. ; Ionescu, A. M.
Publié dans
IEEE Electron Device Letters
Volume
27
Numéro
7
Pages
602-604
Date
2006
Autres identifiant(s)
DAR: 8853
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Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
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Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2007-05-16