Fast and Efficient Light Intensity Modulation in SOI with Gate-All-Around Transistor Phase Modulator
2006
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Résumé
We report fast modulation (>30 GHz) in a SOI resonant cavity using integrated Bragg mirrors and a gate-all-around transistor as active element. Modulation depth >90% can be obtained in 12.5 μm long devices.
Détails
Titre
Fast and Efficient Light Intensity Modulation in SOI with Gate-All-Around Transistor Phase Modulator
Auteur(s)
Dainesi, P. ; Moselund, K. E. ; Thévenaz, Luc ; Ionescu, A. M.
Publié dans
Proceedings of the 2005 Conference on Lasers and Electro-Optics
Volume
1
Pages
110-112
Présenté à
2005 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), Baltimore, USA, 2005
Date
2006
Editeur
IEEE
Mots-clés (libres)
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URL
Laboratoires
THEVE
NANOLAB
SCI-STI-LT
NANOLAB
SCI-STI-LT
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Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2007-05-16