A Physical Analysis of High Voltage MOSFET Capacitance Behaviour
2005
Détails
Titre
A Physical Analysis of High Voltage MOSFET Capacitance Behaviour
Auteur(s)
Anghel, C. ; Chauhan, Y. S. ; Hefyene, N. ; Ionescu, A. M.
Publié dans
IEEE International Symposium on Industrial Electronics
Volume
2
Pages
473-477
Date
2005
Laboratoires
NANOLAB
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > NANOLAB - Laboratoire des dispositifs nanoélectroniques
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Date de création de la notice
2007-05-16